等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備

開(kāi)蓋載片

適用于大到200mm的晶片

襯底溫度可高達(dá)400?°C

可選低頻射頻降低應(yīng)力

干泵組

占地面積小

PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積）等離子沉積設(shè)備是一種先進(jìn)的材料表面處理技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、光伏產(chǎn)業(yè)、防護(hù)涂層及生物醫(yī)學(xué)等多個(gè)領(lǐng)域。該技術(shù)通過(guò)利用等離子體的能量激活化學(xué)反應(yīng)，在基材表面沉積出具有特定性能的薄膜，具有低溫過(guò)程、高附著力和均勻性、優(yōu)異的覆蓋能力以及環(huán)境友好等顯著特點(diǎn)。以下是對(duì)PECVD等離子沉積設(shè)備的詳細(xì)產(chǎn)品介紹。### 一、技術(shù)原理PECVD技術(shù)結(jié)合了等離子體物理與化學(xué)氣相沉積的優(yōu)勢(shì)，通過(guò)射頻等手段使含有薄膜組成原子的氣體在局部形成等離子體。等離子體中的高能電子、離子和自由基等活性粒子與氣體分子發(fā)生碰撞，促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)的進(jìn)行，從而在基材表面沉積出所需的薄膜。這一過(guò)程不僅降低了沉積溫度，還提高了沉積速率和薄膜質(zhì)量。### 二、設(shè)備特點(diǎn)1. **高真空系統(tǒng)**：PECVD設(shè)備通常配備有高真空系統(tǒng)，由雙級(jí)旋片真空泵和分子泵組成，以確保反應(yīng)腔體內(nèi)的高真空度，有利于減少雜質(zhì)干擾，提高薄膜質(zhì)量。2. **精確的氣體控制系統(tǒng)**：設(shè)備采用數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)，由多路質(zhì)量流量計(jì)、流量顯示儀等組成，實(shí)現(xiàn)對(duì)氣體流量的精確測(cè)量和控制。同時(shí)，每條氣體管路均配備高壓逆止閥，保證系統(tǒng)的安全性和連續(xù)均勻性。3. **模塊化設(shè)計(jì)**：PECVD設(shè)備往往采用模塊化設(shè)計(jì)，便于根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行升級(jí)和擴(kuò)展。例如，可以升級(jí)為更大的真空泵組、低頻射頻源和更多的氣路，以滿足不同工藝的需求。4. **先進(jìn)的控制系統(tǒng)**：設(shè)備配備有先進(jìn)的控制軟件，通過(guò)遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)和用戶(hù)友好的圖形用戶(hù)界面，實(shí)現(xiàn)對(duì)工藝參數(shù)的精確控制和實(shí)時(shí)監(jiān)控。用戶(hù)可以通過(guò)參數(shù)窗口、工藝處方編輯窗口等功能，輕松設(shè)置和調(diào)整工藝參數(shù)。5. **廣泛的適用性**：PECVD設(shè)備適用于多種材料的薄膜沉積，包括氧化硅、氮化硅、碳膜等。同時(shí)，其優(yōu)異的覆蓋能力使得該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)復(fù)雜形狀基材的均勻涂覆。### 三、應(yīng)用領(lǐng)域1. **半導(dǎo)體制造**：在半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)中，PECVD技術(shù)用于沉積氧化硅、氮化硅等介電層，這些層是制造現(xiàn)代集成電路。通過(guò)精確控制薄膜的厚度和均勻性，PECVD技術(shù)有助于提高半導(dǎo)體器件的性能和可靠性。2. **光伏產(chǎn)業(yè)**：PECVD被廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能板的生產(chǎn)過(guò)程中，特別是在沉積硅薄膜和透明導(dǎo)電氧化物（TCO）層方面。