簡要描述：簡要描述：低真空化學氣相沉積設備是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。

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低真空化學氣相沉積設備是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。低真空用於減少氣相反應，還可以提高整個基板的均勻性。除此之外，該過程取決於溫度控制，過程溫度越高，維持性越好。與大氣壓下的傳統(tǒng)CVD製程相比，低真空化學氣相沉積設備：每批製程可裝載更多的晶圓（每批100-200個晶圓）、晶圓內的厚度均勻性得到了改善（<±3％），並且降低生產成本。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準的控制製程氣體與監(jiān)控其數據(壓力、載臺溫度)，並提供高品質的薄膜。

參數

應用領域	腔體
· 碳納米管和石墨烯的製程。 · · SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄膜 · 製程。 · · 熱退火。 · · 擴散製程。 · · 氧化製程。 ·	· 加熱爐配置：水平或垂直，結合 · 傳送機構。 ·
配置和優(yōu)點	選件
· 客製化的基板尺寸，直徑可達8寸 · 晶圓。 · · 單載片或多載片。 · · 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±5％。 · · 精準流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可容納10條氣體管線。 · · 穩(wěn)定的溫度控制，可將載盤加熱至1700°C。 ·	· 可以與傳送腔(單載臺或多載臺)整 · 合在一起。 ·

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