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FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 更新時(shí)間:2024-10-10

簡(jiǎn)要描述:簡(jiǎn)要描述:FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積:隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加,其制造設(shè)備也變得更大,需要越來(lái)越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對(duì)中小尺寸的需求開發(fā)串集的PECVD 設(shè)備,提供非晶矽(a-Si),氧化矽(SiOx),氮氧化矽(SiON),氮化矽(SiNx)和多層膜沉積。

產(chǎn)品詳情

FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

隨著LCD面板和製造所需玻璃的尺寸的增加,其製造設(shè)備也變得更大,需要越來(lái)越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對(duì)中小尺寸的需求開發(fā)串集的PECVD 設(shè)備,提供非晶矽(a-Si),氧化矽(SiOx),氮氧化矽(SiON),氮化矽(SiNx)和多層膜沉積。

FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

FPD-PECVDField Plasma Discharge Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是一種電漿輔助化學(xué)氣相沉積技術(shù),它利用電場(chǎng)產(chǎn)生的等離子體來(lái)促進(jìn)化學(xué)氣相沉積過(guò)程。該技術(shù)在薄膜材料的制備中具有重要作用,特別是在大面積平板顯示(Flat Panel Display,FPD)制造領(lǐng)域。

FPD-PECVD技術(shù)通過(guò)在反應(yīng)室內(nèi)施加電場(chǎng),激發(fā)氣體分子產(chǎn)生等離子體。等離子體中的高能粒子與化學(xué)前驅(qū)體分子發(fā)生反應(yīng),形成沉積在基板上的薄膜。與傳統(tǒng)的PECVD技術(shù)相比,FPD-PECVD能夠更有效地控制等離子體的分布和能量,從而提高薄膜的質(zhì)量和均勻性。

該技術(shù)廣泛應(yīng)用于液晶顯示器(LCD)和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)面板的生產(chǎn)中,用于沉積絕緣層、導(dǎo)電層、保護(hù)層等關(guān)鍵薄膜。FPD-PECVD技術(shù)的優(yōu)化和應(yīng)用對(duì)于提升顯示面板的性能和生產(chǎn)效率具有重要意義。

應(yīng)用領(lǐng)域
  • 非晶矽前驅(qū)物(a-Si)。

  • 氮化矽 (SiNx)。

  • 氧化矽,矽烷基(SiOx)。

  • 氧化矽,TEOS (SiOx)。


配置和優(yōu)點(diǎn)選件
  • 客製化基板尺寸為550 x 650 mm2(玻璃)。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3%。

  • 每個(gè)製程腔內(nèi)最多可加裝7組氣體管線。

  • 遠(yuǎn)程電漿進(jìn)行腔體清潔。

  • 穩(wěn)定的溫度控制,可將基板加熱到380°C。

  • Cassette傳送站。

  • TEOS沉積製程。

  • OES、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口。




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