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電漿原子層沉積設(shè)備
電漿原子層沉積設(shè)備(PEALD)是一種基於常規(guī)ALD的方法,其利用電漿作為裂化前驅(qū)物材料的條件,而不是僅依靠來(lái)自加熱基板的熱能。 製程中只需靠電漿來(lái)進(jìn)行裂化前驅(qū)物材料,無(wú)需高溫來(lái)傳遞必要的活化能。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制電漿與ALD的製程,薄膜的厚度和均勻度皆+/- 1%。
電漿原子層沉積設(shè)備參數(shù):
應(yīng)用領(lǐng)域 | 腔體 |
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配置和優(yōu)點(diǎn) | 選件 |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 腔體 |
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配置和優(yōu)點(diǎn) | 選件 |
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